Samsung приступает к созданию первого 3-нм чипа Exynos

Samsung приступает к созданию первого 3-нм чипа Exynos

Компания Samsung Electronics объявила о начале производства первой system-on-chip (SoC) по передовому 3-нм техпроцессу Gate All Around (GAA) компании Samsung Foundry. Ожидается, что массовое производство чипов Exynos начнется в ближайшие месяцы.

Примечательно, что Samsung сотрудничала с Synopsis, компанией по автоматизации проектирования электроники, используя ее пакет EDA для повышения производительности чипа.

Вывод на печать является завершающим этапом проектирования полупроводниковых микросхем, когда окончательный файл дизайна отправляется в литейную мастерскую для создания маски, что является важнейшим шагом для массового производства.

Этот первый высокопроизводительный мобильный чип от Samsung включает в себя CPU, GPU и различные IP-блоки от Synopsis.

Хотя Samsung начала производство 3-нм чипов к концу 2022 года, эти ранние чипы были относительно простыми и использовались в основном для майнинга криптовалют.

Это дебют Samsung Foundry в производстве передового высокопроизводительного мобильного чипа. По предположениям, этот чип может быть предназначен для Galaxy Watch 7 или, возможно, для серии Galaxy S25.

Утверждается, что южнокорейский гигант использовал программное обеспечение Synopsys.ai EDA для доработки дизайна чипа, повышения производительности и оптимизации выхода продукции.

Кроме того, инженеры Samsung использовали Synopsys Fusion Compiler для достижения высокой производительности, снижения энергопотребления и оптимизации площади чипа (PPA).

Если эти заявления подтвердятся, то они могут ознаменовать собой значительный скачок в грядущем мобильном чипе Samsung высокого класса.

Однако конкретные сведения о том, будет ли в этом чипе использоваться 3-нм техпроцесс Samsung Foundry первого поколения (SF3E) или второго поколения (SF3), пока не разглашаются.

Предположительно, предпочтение будет отдано последнему, учитывая его пригодность для сложных чипов, таких как SoC для смартфонов.

Telegram подписаться

Последние новости